霍尔效应(Hall effect)是指当固体导体放置在一个磁场内,且有电流通过时,导晚托班的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而产生电压(霍尔电压)的现象。电压所引致的
此次,中国科技大学的合作研究团队紧随其后,进一步证实了三维量子霍尔效应并验证了显著的拓扑绝缘体现象。 霍尔效应由美国物理学家E.霍尔于1879年在实
霍尔效应是电磁效应的一种,这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。
所谓的逆自旋霍尔效应,即自旋流转换为电流。 在2000年,人们基于自旋积累可以通过铁磁体探测而提出了另一个实验的方案来观测自旋霍尔效应。随后,更多的理论工作者对于
霍尔效应原理图.PPT,若磁场B和霍尔元件平面的法线成一角度θ,则作用于霍尔元件的有效磁感应强度为B cosθ,因此 UH=KHIBcosθ 3)P型半导体,其多数载流
doc格式-13页-文件0.12M-霍耳效应和磁阻效应的研究及应用一、实验目的1了解霍耳效应产生的机理2学会用霍耳集成电路测量磁场的基本方法3测量锑化铟传感
